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IPB023N06N3 G /Infineon Technologies/分立半导体产品
IPB023N06N3 G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:OptiMOS??

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:标准

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):140A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):2.3 毫欧 @ 100A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 141µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):198nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):16000pF @ 30V

功率 - 最大值:214W

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB

供应商器件封装:PG-TO263-7

其它名称:IPB023N06N3 G-NDIPB023N06N3GATMA1SP000453048

供应商IPB023N06N3 G
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